
SI4564DY-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件編號 | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
製造商 | |
製造商零件編號 | SI4564DY-T1-GE3 |
說明 | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
製造商的標準前置時間 | 19 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | MOSFET - 陣列 40V 10 A、9.2 A 3.1W、3.2W 表面黏著式 8-SOIC |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | SI4564DY-T1-GE3 型號 |
類型 | 說明 | 全選 |
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類別 | ||
製造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel® | |
零件狀態 | 有源 | |
技術 | MOSFET (金氧) | |
配置 | N 和 P 通道 | |
FET 特點 | 邏輯電平閘極 | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 40V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 10 A、9.2 A | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 17.5mOhm @ 8A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 2V @ 250µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 31nC @ 10V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 855pF @ 20V | |
功率 - 最大值 | 3.1W、3.2W | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
封裝/外殼 | 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬) | |
供應商元件封裝 | 8-SOIC | |
基礎產品編號 |
數量 | 單價 | 總價 |
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1 | NT$49.00000 | NT$49 |
10 | NT$36.90000 | NT$369 |
100 | NT$26.81000 | NT$2,681 |
500 | NT$21.26000 | NT$10,630 |
1,000 | NT$19.78600 | NT$19,786 |
數量 | 單價 | 總價 |
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2,500 | NT$17.54080 | NT$43,852 |
5,000 | NT$16.44360 | NT$82,218 |
7,500 | NT$16.36453 | NT$122,734 |