Name: SI4599DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4599DY-T1-GE3TR-ND
Price: 50 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SI4599DY-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SI4599DY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI4599DY-T1-GE3
說明	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
製造商的標準前置時間	38 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 40V 6.8 A、5.8 A 3W、3.1W 表面黏著式 8-SOIC
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI4599DY-T1-GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 35.5mOhm @ 5A、10V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA
系列 TrenchFET®	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 20nC @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 640pF @ 20V
零件狀態有源	功率 - 最大值 3W、3.1W
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
配置 N 和 P 通道	安裝類型表面黏著式
FET 特點邏輯電平閘極	封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss) 40V	供應商元件封裝 8-SOIC
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 6.8 A、5.8 A	基礎產品編號 SI4599

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其他資源

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