
SI4599DY-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件編號 | SI4599DY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
製造商 | |
製造商零件編號 | SI4599DY-T1-GE3 |
說明 | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC |
製造商的標準前置時間 | 15 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | MOSFET - 陣列 40V 6.8 A、5.8 A 3W、3.1W 表面黏著式 8-SOIC |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | SI4599DY-T1-GE3 型號 |
類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel® | |
零件狀態 | 有源 | |
技術 | MOSFET (金氧) | |
配置 | N 和 P 通道 | |
FET 特點 | 邏輯電平閘極 | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 40V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 6.8 A、5.8 A | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 35.5mOhm @ 5A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 3V @ 250µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 640pF @ 20V | |
功率 - 最大值 | 3W、3.1W | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
封裝/外殼 | 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬) | |
供應商元件封裝 | 8-SOIC | |
基礎產品編號 |
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$42.00000 | NT$42 |
| 10 | NT$26.50000 | NT$265 |
| 100 | NT$17.50000 | NT$1,750 |
| 500 | NT$13.63200 | NT$6,816 |
| 1,000 | NT$12.38800 | NT$12,388 |
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 2,500 | NT$11.04120 | NT$27,603 |
| 5,000 | NT$10.20840 | NT$51,042 |
| 7,500 | NT$9.78427 | NT$73,382 |
| 12,500 | NT$9.35584 | NT$116,948 |




