SI4900DY-T1-GE3已停產,且不再生產。
可用替代品:

參數同等


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規格書
MOSFET - 陣列 60V 5.3A 3.1W 表面黏著式 8-SOIC
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

SI4900DY-T1-GE3

DigiKey 零件編號
SI4900DY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
SI4900DY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT)
SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商
製造商零件編號
SI4900DY-T1-GE3
說明
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 60V 5.3A 3.1W 表面黏著式 8-SOIC
規格書
 規格書
產品屬性
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類別
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
58mOhm @ 4.3A、10V
製造商
Vishay Siliconix
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
系列
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 10V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
665pF @ 15V
零件狀態
停產
功率 - 最大值
3.1W
技術
MOSFET (金氧)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置
2 N-通道 (雙)
安裝類型
表面黏著式
FET 特點
邏輯電平閘極
封裝/外殼
8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss)
60V
供應商元件封裝
8-SOIC
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
5.3A
基礎產品編號
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (6)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
SI4900DY-T1-E3Vishay Siliconix195SI4900DY-T1-E3CT-NDNT$69.00000參數同等
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停產
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