Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 59 TWD
Availability: InStock

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SI6562CDQ-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI6562CDQ-T1-GE3
說明	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 20V 6.7 A、6.1 A 1.6W、1.7W 表面黏著式 8-TSSOP
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI6562CDQ-T1-GE3 型號

產品屬性

篩選類似產品

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 22mOhm @ 5.7A、4.5V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs(th) (最大值) @ Id 1.5V @ 250µA
系列 TrenchFET®	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 23nC @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 850pF @ 10V
零件狀態限期訂購	功率 - 最大值 1.6W、1.7W
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
配置 N 和 P 通道	安裝類型表面黏著式
FET 特點邏輯電平閘極	封裝／外殼 8-TSSOP (0.173"、4.40mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V	供應商元件封裝 8-TSSOP
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 6.7 A、6.1 A	基礎產品編號 SI6562