Name: SI7772DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7772DP-T1-GE3TR-ND
Price: 46 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SI7772DP-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SI7772DP-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI7772DP-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI7772DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI7772DP-T1-GE3
說明	MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
製造商的標準前置時間	38 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 35.6 A (Tc) 3.9W (Ta)、29.8W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI7772DP-T1-GE3 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 28 nC @ 10 V
系列 SkyFET®, TrenchFET®	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1084 pF @ 15 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 3.9W (Ta)、29.8W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 35.6 A (Tc)	封裝／外殼 PowerPAK® SO-8
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 SI7772
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 13mOhm @ 15A、10V

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (5)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
CSD17327Q5A	Texas Instruments	1,565	296-CSD17327Q5ACT-ND	NT$59.00000	相似
RRU1LAM4STR	Rohm Semiconductor	3,428	RRU1LAM4SCT-ND	NT$25.00000	相似
RS1E130GNTB	Rohm Semiconductor	2,400	RS1E130GNTBCT-ND	NT$34.00000	相似
RS1E150GNTB	Rohm Semiconductor	2,225	RS1E150GNTBCT-ND	NT$34.00000	相似
RXH070N03TB1	Rohm Semiconductor	2,544	RXH070N03TB1CT-ND	NT$54.00000	相似

現貨: 2,820

查詢額外入庫貨品

數量

皆以 TWD 計價

切帶裝 (CT) & Digi-Reel®

* 所有的 Digi-Reel 訂單會加收一筆 NT$215 捲帶費用。

編帶和捲軸封裝 (TR)

製造商標準包裝

SI7772DP-T1-GE3