Name: SI8457DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8457DB-T1-E1TR-ND
Price: 42 TWD
Availability: InStock

SI8457DB-T1-E1
DigiKey 零件編號	SI8457DB-T1-E1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI8457DB-T1-E1CT-ND - 切帶裝 (CT) SI8457DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI8457DB-T1-E1
說明	MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
製造商的標準前置時間	38 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 12 V 6.5 A (Ta) 1.1W (Ta)、2.7W (Tc) 表面黏著式 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI8457DB-T1-E1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	12 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	6.5 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	1.8V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	19mOhm @ 3A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	900mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	93 nC @ 8 V
Vgs (最大值)	±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2900 pF @ 6 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.1W (Ta)、2.7W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
封裝／外殼	4-UFBGA
基礎產品編號	SI8457

SI8457DB-T1-E1