Name: SI8483DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8483DB-T2-E1TR-ND
Price: 41 TWD
Availability: InStock

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SI8483DB-T2-E1
DigiKey 零件編號	SI8483DB-T2-E1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI8483DB-T2-E1CT-ND - 切帶裝 (CT) SI8483DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI8483DB-T2-E1
說明	MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT
製造商的標準前置時間	38 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 12 V 16 A (Tc) 2.77W (Ta)、13W (Tc) 表面黏著式 6-Micro Foot™ (1.5x1)
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 800mV @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 65 nC @ 10 V
系列 TrenchFET®	Vgs (最大值) ±10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1840 pF @ 6 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 2.77W (Ta)、13W (Tc)
FET 類型 P 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 12 V	供應商元件封裝 6-Micro Foot™ (1.5x1)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 16 A (Tc)	封裝／外殼 6-UFBGA
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.5V、4.5V	基礎產品編號 SI8483
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 26mOhm @ 1.5A、4.5V

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SI8483DB-T2-E1