Name: SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 27 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SIA427DJ-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SIA427DJ-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SIA427DJ-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SIA427DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIA427DJ-T1-GE3
說明	MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 8 V 12 A (Tc) 3.5W (Ta)、19W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SC-70-6
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIA427DJ-T1-GE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	8 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	12 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	1.2V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	16mOhm @ 8.2A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	800mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	50 nC @ 5 V
Vgs (最大值)	±5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2300 pF @ 4 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3.5W (Ta)、19W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PowerPAK® SC-70-6
封裝／外殼	PowerPAK® SC-70-6
基礎產品編號	SIA427