N 通道 60 V 48.7A (Ta)、218A (Tc) 7.5W (Ta)、150W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8DC
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N 通道 60 V 48.7A (Ta)、218A (Tc) 7.5W (Ta)、150W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8DC
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR626LEP-T1-RE3

DigiKey 零件編號
742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
742-SIDR626LEP-T1-RE3CT-ND - 切帶裝 (CT)
742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商
Vishay Siliconix
製造商零件編號
SIDR626LEP-T1-RE3
說明
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
製造商的標準前置時間
29 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 60 V 48.7A (Ta)、218A (Tc) 7.5W (Ta)、150W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8DC
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
48.7A (Ta)、218A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
1.5mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5900 pF @ 30 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
7.5W (Ta)、150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
PowerPAK® SO-8DC
封裝／外殼
PowerPAK® SO-8
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切帶裝 (CT) & Digi-Reel®
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10NT$93.80000NT$938
100NT$66.30000NT$6,630
500NT$60.84200NT$30,421
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編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
3,000NT$49.70800NT$149,124
製造商標準包裝
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