Name: SIHB11N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB11N80AE-GE3-ND
Price: 112 TWD
Availability: InStock

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 42 nC @ 10 V
系列 E	Vgs (最大值) ±30V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 804 pF @ 100 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 78W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 800 V	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 8 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 SIHB11
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 450mOhm @ 5.5A、10V

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SIHB11N80AE-GE3