SIHB12N50C-E3已停產,且不再生產。
可用替代品:

建議的 MFR


Vishay Siliconix
庫存現貨: 965
單價 : NT$151.00000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 281
單價 : NT$201.00000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : NT$192.00000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 97
單價 : NT$586.00000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 643
單價 : NT$402.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 161
單價 : NT$161.00000
規格書
N 通道 500 V 12 A (Tc) 208W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。
N 通道 500 V 12 A (Tc) 208W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N50C-E3

DigiKey 零件編號
SIHB12N50C-E3-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
製造商零件編號
SIHB12N50C-E3
說明
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 500 V 12 A (Tc) 208W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
SIHB12N50C-E3 型號
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
48 nC @ 10 V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
Vgs (最大值)
±30V
零件狀態
停產
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1375 pF @ 25 V
FET 類型
功率耗散 (最大值)
208W (Tc)
技術
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss)
500 V
安裝類型
表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
封裝/外殼
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
555mOhm @ 4A、10V
基礎產品編號
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (6)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
IRFS11N50APBFVishay Siliconix965IRFS11N50APBF-NDNT$151.00000建議的 MFR
IXFA12N50PIXYS281IXFA12N50P-NDNT$201.00000相似
IXTA12N50PIXYS0238-IXTA12N50P-NDNT$192.00000相似
IXTA15N50L2IXYS97IXTA15N50L2-NDNT$586.00000相似
IXTA6N50D2IXYS643238-IXTA6N50D2-NDNT$402.00000相似
停產
此產品已停產。 查看 替代產品。