Name: SIHB12N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N50E-GE3-ND
Price: 120 TWD
Availability: OutOfStock

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 50 nC @ 10 V
包裝散裝	Vgs (最大值) ±30V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 886 pF @ 100 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 114W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 500 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 10.5 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 380mOhm @ 6A、10V	基礎產品編號 SIHB12

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