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SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | SIHB12N60ET1-GE3 |
說明 | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
製造商的標準前置時間 | 15 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK) |
規格書 | 規格書 |
產品屬性
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類別 | Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA |
製造商 | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 58 nC @ 10 V |
系列 | Vgs (最大值) ±30V |
包裝 散裝 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 937 pF @ 100 V |
零件狀態 有源 | 功率耗散 (最大值) 147W (Tc) |
FET 類型 | 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
技術 | 安裝類型 表面黏著式 |
汲極至源極電壓 (Vdss) 600 V | 供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK) |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 封裝/外殼 |
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V | 基礎產品編號 |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 380mOhm @ 6A、10V |
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替代品 (4)
| 零件編號 | 製造商 | 現有數量 | DigiKey 零件編號 | 單價 | 替代類型 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R380C6ATMA1CT-ND | NT$2.16000 | 相似 |
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數量
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散裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 800 | NT$34.33375 | NT$27,467 |



