SIHB180N60E-GE3可購買,但非長期存貨。
可用替代品:

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 3,564
單價 : NT$153.00000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 1,192
單價 : NT$164.00000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.00000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.00000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : NT$117.49667

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 811
單價 : NT$155.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 4,144
單價 : NT$143.00000
規格書
N 通道 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。
N 通道 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB180N60E-GE3

DigiKey 零件編號
SIHB180N60E-GE3-ND
製造商
製造商零件編號
SIHB180N60E-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
製造商的標準前置時間
25 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
包裝
散裝
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
180mOhm @ 9.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1085 pF @ 100 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
156W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
封裝/外殼
基礎產品編號
產品問答

看看工程師有哪些疑問、提出您的問題,或協助 DigiKey 工程社群的成員

可訂購
查看前置時間
DigiKey 並無此產品的庫存現貨。顯示的前置時間會套用在製造商出貨給 DigiKey 的時間。收到產品後,DigiKey 就會出貨,以滿足未完成訂單。
皆以 TWD 計價
散裝
數量 單價 總價
1,000NT$50.53800NT$50,538
製造商標準包裝