SIHB22N65E-GE3可購買,但非長期存貨。
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onsemi
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庫存現貨: 0
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庫存現貨: 0
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庫存現貨: 835
單價 : NT$345.20000
規格書

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單價 : NT$450.80000
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庫存現貨: 1,693
單價 : NT$224.51000
規格書
TO-263-3
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N65E-GE3

DigiKey 零件編號
SIHB22N65E-GE3-ND
製造商
製造商零件編號
SIHB22N65E-GE3
說明
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
製造商的標準前置時間
20 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
SIHB22N65E-GE3 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
-
包裝
管裝
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
180mOhm @ 11A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2415 pF @ 100 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
227W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
封裝/外殼
基礎產品編號
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管裝
數量 單價 總價
1,000NT$69.91400NT$69,914
製造商標準包裝
備註:若採用 DigiKey 加值服務,如產品購入數量少於標準包裝,其包裝類型可能與產品購買時不同。