Name: SIHB35N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB35N60E-GE3-ND
Price: 270 TWD
Availability: OutOfStock

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 132 nC @ 10 V
包裝管裝	Vgs (最大值) ±30V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2760 pF @ 100 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 250W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 32 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 94mOhm @ 17A、10V	基礎產品編號 SIHB35

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替代品 (3)

零件編號	製造商	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
SIHB35N60ET1-GE3	Vishay Siliconix	742-SIHB35N60ET1-GE3TR-ND	NT$127.39500	參數同等
SIHB35N60ET5-GE3	Vishay Siliconix	742-SIHB35N60ET5-GE3TR-ND	NT$127.39500	參數同等
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