Name: SIHD12N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD12N50E-GE3-ND
Price: 97 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 50 nC @ 10 V
系列 E	Vgs (最大值) ±30V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 886 pF @ 100 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 114W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TA)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 550 V	供應商元件封裝 DPAK
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 10.5 A (Tc)	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 SIHD12
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 380mOhm @ 6A、10V

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

現貨: 2,462

查詢額外入庫貨品

數量

皆以 TWD 計價

管裝

製造商標準包裝

備註：若採用 DigiKey 加值服務，如產品購入數量少於標準包裝，其包裝類型可能與產品購買時不同。

SIHD12N50E-GE3