SIHD7N60ET5-GE3可購買,但非長期存貨。
可用替代品:

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 0
單價 : NT$35.89233
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 30
單價 : NT$105.00000
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 0
單價 : NT$28.84800
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 0
單價 : NT$26.00067
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.00000
規格書

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IXYS
庫存現貨: 345
單價 : NT$169.00000
規格書

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STMicroelectronics
庫存現貨: 385
單價 : NT$179.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 7,097
單價 : NT$75.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 619
單價 : NT$87.00000
規格書
N 通道 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) 表面黏著式 TO-252AA
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

SIHD7N60ET5-GE3

DigiKey 零件編號
SIHD7N60ET5-GE3-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
製造商零件編號
SIHD7N60ET5-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
製造商的標準前置時間
24 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) 表面黏著式 TO-252AA
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40 nC @ 10 V
系列
Vgs (最大值)
±30V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
680 pF @ 100 V
零件狀態
有源
功率耗散 (最大值)
78W (Tc)
FET 類型
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技術
安裝類型
表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
供應商元件封裝
TO-252AA
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
封裝/外殼
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
基礎產品編號
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
600mOhm @ 3.5A、10V
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (9)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
SIHD7N60E-E3Vishay Siliconix0SIHD7N60E-E3-NDNT$35.89233參數同等
SIHD7N60E-GE3Vishay Siliconix30SIHD7N60E-GE3-NDNT$105.00000參數同等
SIHD7N60ET1-GE3Vishay Siliconix0742-SIHD7N60ET1-GE3TR-NDNT$28.84800參數同等
SIHD7N60ET4-GE3Vishay Siliconix0SIHD7N60ET4-GE3-NDNT$26.00067參數同等
IPD60R600E6ATMA1Infineon Technologies0448-IPD60R600E6ATMA1TR-NDNT$0.00000相似
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皆以 TWD 計價
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
3,000NT$26.00067NT$78,002
6,000NT$25.62650NT$153,759
製造商標準包裝