Name: SIHF530STRL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHF530STRL-GE3TR-ND
Price: 62 TWD
Availability: InStock

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SIHF530STRL-GE3
DigiKey 零件編號	742-SIHF530STRL-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SIHF530STRL-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SIHF530STRL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIHF530STRL-GE3
說明	MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
製造商的標準前置時間	32 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 14 A (Tc) 3.7W (Ta)、88W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 26 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 670 pF @ 25 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 3.7W (Ta)、88W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 14 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 160mOhm @ 8.4A、10V	基礎產品編號 SIHF530

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替代品 (2)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
IRF530STRLPBF	Vishay Siliconix	334	IRF530STRLPBFCT-ND	NT$21.62000	參數同等
IRF530STRRPBF	Vishay Siliconix	382	742-IRF530STRRPBFCT-ND	NT$21.62000	參數同等