SIHFS9N60A-GE3可購買,但非長期存貨。
可用替代品:

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 75
單價 : NT$176.00000
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 895
單價 : NT$176.00000
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 800
單價 : NT$176.00000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 113
單價 : NT$201.00000
規格書

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 176
單價 : NT$104.00000
規格書
N 通道 600 V 9.2 A (Tc) 170W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。
N 通道 600 V 9.2 A (Tc) 170W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHFS9N60A-GE3

DigiKey 零件編號
SIHFS9N60A-GE3-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
製造商零件編號
SIHFS9N60A-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
製造商的標準前置時間
15 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 9.2 A (Tc) 170W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
49 nC @ 10 V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
Vgs (最大值)
±30V
零件狀態
有源
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET 類型
功率耗散 (最大值)
170W (Tc)
技術
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
安裝類型
表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
封裝/外殼
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
750mOhm @ 5.5A、10V
基礎產品編號
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (5)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
IRFS9N60APBFVishay Siliconix75IRFS9N60APBF-NDNT$176.00000參數同等
IRFS9N60ATRLPBFVishay Siliconix895IRFS9N60ATRLPBFCT-NDNT$176.00000參數同等
IRFS9N60ATRRPBFVishay Siliconix800742-IRFS9N60ATRRPBFCT-NDNT$176.00000參數同等
IXFA10N60PIXYS113IXFA10N60P-NDNT$201.00000相似
R6007ENJTLRohm Semiconductor176R6007ENJTLCT-NDNT$104.00000相似
可訂購
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皆以 TWD 計價
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
1,000NT$34.37700NT$34,377
2,000NT$31.97600NT$63,952
3,000NT$31.06633NT$93,199
製造商標準包裝