Name: SIHG11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG11N80E-GE3-ND
Price: 70.808 TWD
Availability: OutOfStock

SIHG11N80E-GE3可購買，但非長期存貨。

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N 通道 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) 通孔式 TO-247AC

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SIHG11N80E-GE3
DigiKey 零件編號	SIHG11N80E-GE3-ND
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIHG11N80E-GE3
說明	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) 通孔式 TO-247AC
規格書	規格書

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Category 離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 88 nC @ 10 V
系列 E	Vgs (最大值) ±30V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1670 pF @ 100 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 179W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss) 800 V	供應商元件封裝 TO-247AC
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 12 A (Tc)	封裝／外殼 TO-247-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 SIHG11
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 440mOhm @ 5.5A、10V

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替代品 (8)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
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