Name: SIHG22N60AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG22N60AE-GE3-ND
Price: 160 TWD
Availability: OutOfStock

SIHG22N60AE-GE3無存貨，但提供缺貨預定。

可用替代品:

相似

FCH22N60N

onsemi

庫存現貨: 0

單價 : NT$0.00000

規格書

相似

IPW60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 192

單價 : NT$126.00000

規格書

相似

IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 272

單價 : NT$119.00000

規格書

相似

IXFH22N65X2

IXYS

庫存現貨: 5,065

單價 : NT$250.00000

規格書

相似

IXFH24N60X

IXYS

庫存現貨: 0

單價 : NT$149.76667

相似

IXFH36N60P

IXYS

庫存現貨: 739

單價 : NT$230.00000

規格書

相似

IXKH20N60C5

IXYS

庫存現貨: 0

單價 : NT$0.00000

相似

STW31N65M5

STMicroelectronics

庫存現貨: 0

單價 : NT$150.00000

規格書

查看並比較所有替代品

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SIHG22N60AE-GE3
DigiKey 零件編號	SIHG22N60AE-GE3-ND
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIHG22N60AE-GE3
說明	MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
製造商的標準前置時間	20 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) 通孔式 TO-247AC
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	E
包裝	管裝
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	20 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	180mOhm @ 11A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1451 pF @ 100 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	179W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	通孔式
供應商元件封裝	TO-247AC
封裝／外殼	TO-247-3
基礎產品編號	SIHG22