
SIHP12N65E-GE3 | |
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DigiKey 零件編號 | SIHP12N65E-GE3-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | SIHP12N65E-GE3 |
說明 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB |
製造商的標準前置時間 | 20 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) 通孔式 TO-220AB |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | SIHP12N65E-GE3 型號 |
類型 | 說明 | 全選 |
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類別 | ||
製造商 | ||
系列 | - | |
包裝 | 管裝 | |
零件狀態 | 有源 | |
FET 類型 | ||
技術 | ||
汲極至源極電壓 (Vdss) | 650 V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | ||
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) | 10V | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 380mOhm @ 6A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 4V @ 250µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
Vgs (最大值) | ±30V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 1224 pF @ 100 V | |
FET 特點 | - | |
功率耗散 (最大值) | 156W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
等級 | - | |
資格 | - | |
安裝類型 | 通孔式 | |
供應商元件封裝 | TO-220AB | |
封裝/外殼 | ||
基礎產品編號 |
數量 | 單價 | 總價 |
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1 | NT$39.00000 | NT$39 |
10 | NT$38.10000 | NT$381 |
100 | NT$36.45000 | NT$3,645 |
500 | NT$32.89200 | NT$16,446 |
1,000 | NT$31.39600 | NT$31,396 |
2,000 | NT$30.91550 | NT$61,831 |