SIHP22N60AE-GE3可購買,但非長期存貨。
可用替代品:

直接


Vishay Siliconix
庫存現貨: 1,938
單價 : NT$181.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 635
單價 : NT$167.00000
規格書

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Infineon Technologies
庫存現貨: 1,839
單價 : NT$137.00000
規格書

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IXYS
庫存現貨: 0
單價 : NT$111.12000

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : NT$125.84333

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : NT$175.61000

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 112
單價 : NT$262.00000
規格書

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Toshiba Semiconductor and Storage
庫存現貨: 31
單價 : NT$161.00000
規格書
N 通道 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) 通孔式 TO-220AB
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

SIHP22N60AE-GE3

DigiKey 零件編號
SIHP22N60AE-GE3-ND
製造商
製造商零件編號
SIHP22N60AE-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
製造商的標準前置時間
24 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) 通孔式 TO-220AB
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
96 nC @ 10 V
系列
Vgs (最大值)
±30V
包裝
管裝
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1451 pF @ 100 V
零件狀態
有源
功率耗散 (最大值)
179W (Tc)
FET 類型
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技術
安裝類型
通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
供應商元件封裝
TO-220AB
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
封裝/外殼
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
基礎產品編號
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
180mOhm @ 11A、10V
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (8)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
SIHP22N60AE-BE3Vishay Siliconix1,938742-SIHP22N60AE-BE3-NDNT$181.00000直接
FCP190N65S3onsemi635FCP190N65S3-NDNT$167.00000相似
IPP60R190E6XKSA1Infineon Technologies1,839448-IPP60R190E6XKSA1-NDNT$137.00000相似
IXFP24N60XIXYS0IXFP24N60X-NDNT$111.12000相似
IXFP30N60XIXYS0IXFP30N60X-NDNT$125.84333相似
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管裝
數量 單價 總價
1,000NT$74.72000NT$74,720
製造商標準包裝
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