Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 226 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SIJH112E-T1-GE3
DigiKey 零件編號	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIJH112E-T1-GE3
說明	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 23A (Ta)、225A (Tc) 3.3W (Ta)、333W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® 8 x 8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIJH112E-T1-GE3 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 160 nC @ 10 V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 8050 pF @ 50 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 3.3W (Ta)、333W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	供應商元件封裝 PowerPAK® 8 x 8
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 23A (Ta)、225A (Tc)	封裝／外殼 8-PowerTDFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.8mOhm @ 20A、10V	基礎產品編號 SIJH112
Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA