Name: SIR500DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR500DP-T1-RE3TR-ND
Price: 105 TWD
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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SIR500DP-T1-RE3
DigiKey 零件編號	742-SIR500DP-T1-RE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SIR500DP-T1-RE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SIR500DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIR500DP-T1-RE3
說明	N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 85.9A (Ta)、350.8A (Tc) 6.25W (Ta)、104.1W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIR500DP-T1-RE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 0.47mOhm @ 20A、10V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.2V @ 250µA
系列 TrenchFET® Gen V	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 180 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) +16V、-12V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 8960 pF @ 15 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 6.25W (Ta)、104.1W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 85.9A (Ta)、350.8A (Tc)	供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 PowerPAK® SO-8

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零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
SIDR500EP-T1-RE3	Vishay Siliconix	4,904	742-SIDR500EP-T1-RE3CT-ND	NT$188.00000	參數同等
SIR500DP-T1-UE3	Vishay Siliconix	1	742-SIR500DP-T1-UE3CT-ND	NT$103.00000	參數同等