Name: SIR662DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR662DP-T1-GE3TR-ND
Price: 105 TWD
Availability: InStock

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SIR662DP-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SIR662DP-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SIR662DP-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SIR662DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIR662DP-T1-GE3
說明	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 60 V 60 A (Tc) 6.25W (Ta)、104W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIR662DP-T1-GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 96 nC @ 10 V
系列 TrenchFET®	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4365 pF @ 30 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 6.25W (Ta)、104W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 60 A (Tc)	封裝／外殼 PowerPAK® SO-8
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 SIR662
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.7mOhm @ 20A、10V