Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3TR-ND
Price: 65 TWD
Availability: InStock

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SIS903DN-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SIS903DN-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIS903DN-T1-GE3
說明	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
製造商的標準前置時間	38 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 20V 6 A (Tc) 2.6W (Ta)、23W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® 1212-8 雙
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIS903DN-T1-GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 42nC @ 10V
系列 TrenchFET® Gen III	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2565pF @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率 - 最大值 2.6W (Ta)、23W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
配置 2 P 通道 (雙)	封裝／外殼 PowerPAK® 1212-8 雙
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V	供應商元件封裝 PowerPAK® 1212-8 雙
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 6 A (Tc)	基礎產品編號 SIS903
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 20.1mOhm @ 5A、4.5V