Name: SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF00DN-T1-GE3TR-ND
Price: 87 TWD
Availability: InStock

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SISF00DN-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SISF00DN-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SISF00DN-T1-GE3
說明	MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 60 A (Tc) 69.4W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® 1212-8SCD Dual
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SISF00DN-T1-GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.1V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 53nC @ 10V
系列 TrenchFET® Gen IV	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2700pF @ 15V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率 - 最大值 69.4W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
配置 2 N 通道 (雙重) 共汲極	封裝／外殼 PowerPAK® 1212-8SCD Dual
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V	供應商元件封裝 PowerPAK® 1212-8SCD Dual
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 60 A (Tc)	基礎產品編號 SISF00
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 5mOhm @ 10A、10V