Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 96 TWD
Availability: InStock

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SISS5623DN-T1-GE3
DigiKey 零件編號	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SISS5623DN-T1-GE3
說明	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 60 V 10.5A (Ta)、36.3A (Tc) 4.8W (Ta)、56.8W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® 1212-8S
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SISS5623DN-T1-GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.6V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 33 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1575 pF @ 30 V
FET 類型 P 通道	功率耗散 (最大值) 4.8W (Ta)、56.8W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 10.5A (Ta)、36.3A (Tc)	供應商元件封裝 PowerPAK® 1212-8S
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 PowerPAK® 1212-8S
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 24mOhm @ 10A、10V	基礎產品編號 SISS5623