Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 51 TWD
Availability: OutOfStock

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SIZ200DT-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIZ200DT-T1-GE3
說明	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
製造商的標準前置時間	33 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 22 A (Ta)、61 A (Tc)、22 A (Ta)、60 A (Tc) 4.3W (Ta)、33W (Tc) 表面黏著式 8-PowerPair® (3.3x3.3)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIZ200DT-T1-GE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen IV
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	2 N-通道 (雙)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	22 A (Ta)、61 A (Tc)、22 A (Ta)、60 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	5.5mOhm @ 10A、10V、5.8mOhm @ 10A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	28nC @ 10V、30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1510pF @ 15V、1600pF @ 15V
功率 - 最大值	4.3W (Ta)、33W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-PowerWDFN
供應商元件封裝	8-PowerPair® (3.3x3.3)
基礎產品編號	SIZ200