SIZ300DT-T1-GE3已停產,且不再生產。
可用替代品:

建議的 MFR


Vishay Siliconix
庫存現貨: 5,300
單價 : NT$45.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 21
單價 : NT$38.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 2,213
單價 : NT$52.00000
規格書
MOSFET - 陣列 30V 11 A、28 A 16.7W、31W 表面黏著式 8-PowerPair®
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

SIZ300DT-T1-GE3

DigiKey 零件編號
SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT)
SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商
製造商零件編號
SIZ300DT-T1-GE3
說明
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 30V 11 A、28 A 16.7W、31W 表面黏著式 8-PowerPair®
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
SIZ300DT-T1-GE3 型號
產品屬性
篩選類似產品
類別
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
24mOhm @ 9.8A、10V
製造商
Vishay Siliconix
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.4V @ 250µA
系列
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 10V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
400pF @ 15V
零件狀態
停產
功率 - 最大值
16.7W、31W
技術
MOSFET (金氧)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置
兩個 N 通道 (半橋)
安裝類型
表面黏著式
FET 特點
邏輯電平閘極
封裝/外殼
8-PowerWDFN
汲極至源極電壓 (Vdss)
30V
供應商元件封裝
8-PowerPair®
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
11 A、28 A
基礎產品編號
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (3)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
SIZ342BDT-T1-GE3Vishay Siliconix5,300742-SIZ342BDT-T1-GE3CT-NDNT$45.00000建議的 MFR
FDMC7200onsemi21FDMC7200CT-NDNT$38.00000相似
FDMC7200Sonsemi2,213FDMC7200SCT-NDNT$52.00000相似
停產
此產品已停產。 查看 替代產品。