Name: SQ2310CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2310CES-T1_GE3TR-ND
Price: 24 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SQ2310CES-T1_GE3
DigiKey 零件編號	742-SQ2310CES-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SQ2310CES-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SQ2310CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQ2310CES-T1_GE3
說明	MOSFET N-CH 20V 6A TO236
製造商的標準前置時間	22 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 20 V 6 A (Tc) 2W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SQ2310CES-T1_GE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	20 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	6 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	1.8V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	30mOhm @ 5A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)	±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	590 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	SOT-23-3 (TO-236)
封裝／外殼	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

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