Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 90 TWD
Availability: InStock

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SQ4949EY-T1_GE3
DigiKey 零件編號	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQ4949EY-T1_GE3
說明	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 7.5 A (Tc) 3.3W 表面黏著式 8-SOIC
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 30nC @ 10V
製造商 Vishay Siliconix	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1020pF @ 25V
系列 TrenchFET®	功率 - 最大值 3.3W
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
零件狀態有源	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
配置 2 P 通道 (雙)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V	封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 7.5 A (Tc)	供應商元件封裝 8-SOIC
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 35mOhm @ 5.9A、10V	基礎產品編號 SQ4949
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA