Name: SQJ200EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ200EP-T1_GE3TR-ND
Price: 67 TWD
Availability: InStock

SQJ200EP-T1_GE3
DigiKey 零件編號	SQJ200EP-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SQJ200EP-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SQJ200EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQJ200EP-T1_GE3
說明	MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
製造商的標準前置時間	23 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 20V 20A、60A 27W、48W 表面黏著式 PowerPAK® SO-8 雙非對稱
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SQJ200EP-T1_GE3 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	2 N-通道 (雙)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	20A、60A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	8.8mOhm @ 16A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	975pF @ 10V
功率 - 最大值	27W、48W
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	PowerPAK® SO-8 雙
供應商元件封裝	PowerPAK® SO-8 雙非對稱
基礎產品編號	SQJ200

SQJ200EP-T1_GE3