Name: SQJ457EP-T2_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ457EP-T2_BE3TR-ND
Price: 58 TWD
Availability: InStock

新產品

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SQJ457EP-T2_BE3
DigiKey 零件編號	742-SQJ457EP-T2_BE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SQJ457EP-T2_BE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SQJ457EP-T2_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQJ457EP-T2_BE3
說明	P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 60 V 36 A (Tc) 68W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 nC @ 10 V
系列 TrenchFET®	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3400 pF @ 25 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 68W (Tc)
FET 類型 P 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	等級汽車
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	資格 AEC-Q101
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 36 A (Tc)	安裝類型表面黏著式
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 25mOhm @ 10A、10V	封裝／外殼 PowerPAK® SO-8

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替代品 (2)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
SQJ457EP-T1_GE3	Vishay Siliconix	16,326	SQJ457EP-T1_GE3CT-ND	NT$58.00000	參數同等
SQJ457EP-T2_GE3	Vishay Siliconix	8,276	742-SQJ457EP-T2_GE3CT-ND	NT$58.00000	參數同等