Name: SQJ459EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ459EP-T1_GE3TR-ND
Price: 77 TWD
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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參數同等

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SQJ459EP-T1_GE3
DigiKey 零件編號	SQJ459EP-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SQJ459EP-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SQJ459EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQJ459EP-T1_GE3
說明	MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
製造商的標準前置時間	24 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 60 V 52 A (Tc) 83W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SQJ459EP-T1_GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 108 nC @ 10 V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs (最大值) ±20V
系列 TrenchFET®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4586 pF @ 30 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 83W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 P 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 52 A (Tc)	供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 PowerPAK® SO-8
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 18mOhm @ 3.5A、10V	基礎產品編號 SQJ459
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA

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替代品 (3)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
SQJ459EP-T1_BE3	Vishay Siliconix	1,253	742-SQJ459EP-T1_BE3CT-ND	NT$72.00000	參數同等
SQJ459EP-T1_NE3	Vishay Siliconix	2,220	742-SQJ459EP-T1_NE3CT-ND	NT$74.00000	參數同等
SQJ459EP-T2_BE3	Vishay Siliconix	5,544	742-SQJ459EP-T2_BE3CT-ND	NT$70.00000	參數同等