Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 48 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SQJ912DEP-T1_GE3
DigiKey 零件編號	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQJ912DEP-T1_GE3
說明	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
製造商的標準前置時間	27 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 40V 30 A (Tc) 27W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8 雙
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SQJ912DEP-T1_GE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	2 N-通道 (雙)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	40V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	30 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	7.3mOhm @ 7A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	-
功率 - 最大值	27W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	PowerPAK® SO-8 雙
供應商元件封裝	PowerPAK® SO-8 雙
基礎產品編號	SQJ912