
SQJ968EP-T1_GE3 | |
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cms-digikey-product-number | SQJ968EP-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SQJ968EP-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | SQJ968EP-T1_GE3 |
cms-description | MOSFET 2N-CH 60V 23.5A PPAK SO8 |
cms-standard-lead-time | 22 週 |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | MOSFET - 陣列 60V 23.5 A (Tc) 42W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8 雙 |
規格書 | 規格書 |
cms-eda-cad-models | SQJ968EP-T1_GE3 型號 |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
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cms-category | ||
製造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包裝 | 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) | |
零件狀態 | 有源 | |
技術 | MOSFET (金氧) | |
配置 | 2 N-通道 (雙) | |
FET 特點 | - | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 60V | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 23.5 A (Tc) | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 33.6mOhm @ 4.8A、10V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 18.5nC @ 10V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 714pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | 42W (Tc) | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TA) | |
等級 | 汽車 | |
資格 | AEC-Q101 | |
安裝類型 | 表面黏著式 | |
封裝/外殼 | PowerPAK® SO-8 雙 | |
供應商元件封裝 | PowerPAK® SO-8 雙 | |
基礎產品編號 |
cms-quantity | 單價 | cms-ext-price |
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1 | NT$53.00000 | NT$53 |
10 | NT$33.40000 | NT$334 |
100 | NT$22.32000 | NT$2,232 |
500 | NT$17.56200 | NT$8,781 |
1,000 | NT$16.03300 | NT$16,033 |
cms-quantity | 單價 | cms-ext-price |
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3,000 | NT$14.16600 | NT$42,498 |
6,000 | NT$13.11367 | NT$78,682 |
9,000 | NT$12.81567 | NT$115,341 |