Name: SQJB00EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB00EP-T1_GE3TR-ND
Price: 71 TWD
Availability: InStock

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SQJB00EP-T1_GE3
DigiKey 零件編號	SQJB00EP-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SQJB00EP-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SQJB00EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQJB00EP-T1_GE3
說明	MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
製造商的標準前置時間	39 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 60V 30 A (Tc) 48W 表面黏著式 PowerPAK® SO-8 雙
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SQJB00EP-T1_GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 35nC @ 10V
製造商 Vishay Siliconix	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1700pF @ 25V
系列 TrenchFET®	功率 - 最大值 48W
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
零件狀態有源	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
配置 2 N-通道 (雙)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V	封裝／外殼 PowerPAK® SO-8 雙
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 30 A (Tc)	供應商元件封裝 PowerPAK® SO-8 雙
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 13mOhm @ 10A、10V	基礎產品編號 SQJB00
Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 250µA