Name: SQJQ186ER-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ186ER-T1_GE3TR-ND
Price: 150 TWD
Availability: InStock

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SQJQ186ER-T1_GE3
DigiKey 零件編號	742-SQJQ186ER-T1_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SQJQ186ER-T1_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SQJQ186ER-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQJQ186ER-T1_GE3
說明	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
製造商的標準前置時間	39 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 80 V 329A (Tc) 600W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® 8 x 8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SQJQ186ER-T1_GE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 185 nC @ 10 V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs (最大值) ±20V
系列 TrenchFET® Gen IV	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 10552 pF @ 25 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 600W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 80 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 329A (Tc)	供應商元件封裝 PowerPAK® 8 x 8
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 8-PowerSMD、鷗翼
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.3mOhm @ 20A、10V	基礎產品編號 SQJQ186
Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 250µA