Name: SQM110N05-06L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110N05-06L_GE3TR-ND
Price: 144 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SQM110N05-06L_GE3
DigiKey 零件編號	SQM110N05-06L_GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SQM110N05-06L_GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SQM110N05-06L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQM110N05-06L_GE3
說明	MOSFET N-CH 55V 110A TO263
製造商的標準前置時間	23 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 55 V 110 A (Tc) 157W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書	規格書

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 110 nC @ 10 V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs (最大值) ±20V
系列 TrenchFET®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4440 pF @ 25 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 157W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 N 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 55 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 110 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 6mOhm @ 30A、10V	基礎產品編號 SQM110
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (9)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
BUK9608-55B,118	Nexperia USA Inc.	321	1727-4711-1-ND	NT$114.00000	相似
HUF75345S3ST	onsemi	1,881	HUF75345S3STCT-ND	NT$294.00000	相似
IRF1405STRLPBF	Infineon Technologies	1,681	IRF1405STRLPBFCT-ND	NT$130.00000	相似
IRF3205ZSTRLPBF	Infineon Technologies	4,387	IRF3205ZSTRLPBFCT-ND	NT$100.00000	相似
IXTA110N055T2	IXYS	0	IXTA110N055T2-ND	NT$153.00000	相似