Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3TR-ND
Price: 184 TWD
Availability: InStock

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SQM120P10_10M1LGE3
DigiKey 零件編號	SQM120P10_10M1LGE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SQM120P10_10M1LGE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SQM120P10_10M1LGE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SQM120P10_10M1LGE3
說明	MOSFET P-CH 100V 120A TO263
製造商的標準前置時間	23 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SQM120P10_10M1LGE3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 190 nC @ 10 V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs (最大值) ±20V
系列 TrenchFET®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 9000 pF @ 25 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率耗散 (最大值) 375W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
FET 類型 P 通道	等級汽車
技術 MOSFET (金氧)	資格 AEC-Q101
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 120 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 10.1mOhm @ 30A、10V	基礎產品編號 SQM120
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250µA

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替代品 (3)

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