單閘雙極電晶體 (IGBT)

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            單閘雙極電晶體 (IGBT)
                    onsemi 單 IGBT 提供卓越的技術與效能，旨在滿足現代應用的嚴苛需求
    

onsemi 單閘雙極電晶體 (IGBT) 的圖片 onsemi 單 IGBT 經過精心設計，可在各種應用中提供卓越的效能與效率。這些 IGBT 利用最新的場截止 7 (FS7) 技術，提供低導通電壓、極少的切換損耗，使其成為硬切換、軟切換拓撲的理想選擇。創新設計可確保高功率密度和散熱效能，降低能源消耗並提高系統可靠性。無論是用於汽車、工業或消費性電子產品，onsemi 單 IGBT 都能提供當今高效能系統所需的穩健性與效率。

特點

FS7 技術
低導通電壓
極少的切換損耗
高功率密度
優異的散熱效能
穩健的設計，可靠性高
非常適合硬切換、軟切換拓撲
高效率

減少能源消耗
增強系統可靠性
寬廣的電流額定值
緊湊的封裝設計
高速切換能力
內建保護功能
針對汽車、工業應用最佳化

應用

汽車逆變器
工業馬達驅動
消費性電子
再生能源系統
暖通空調系統
電源供應器
電動車充電器
機器人技術

不斷電系統 (UPS)
熔接設備
感應加熱
牽引逆變器
太陽能逆變器
電池管理系統
智慧電網應用

發佈日期： 2025-01-03

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