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onsemi 標準產品如何提升業界標準
onsemi 的標準產品為汽車、工業、消費性電子產品提供緊湊、高效的解決方案。onsemi 產品組合結合高整合度 IC 與離散式元件，例如電晶體、二極體、LDO、放大器、邏輯元件、EEPROM、保護元件，協助工程師簡化設計、強化介面，並提升可靠度。
onsemi 擁有超過 6,000 個零件編號，涵蓋 170 多種封裝，包括超小型選項與業界首創的創新設計，透過 Treo 平台所支援的可互通建構模塊，協助加速開發並簡化採購流程。該平台是集智慧感測與電源於一體的統一技術平台。此適應能力將適用於廣泛的產業與應用領域。
- 邏輯元件
- EEPROM
- LDO
- 放大器
- 隔離
- 電晶體
- 保護
- 二極體
邏輯元件
產品組合：onsemi 在邏輯元件領域排名第二。我們廣泛的產品陣容使我們成為一站式供應商，提供同級最佳的頂級品質。
高速效能：支援高達 140 Mbps 的數據傳輸率，可為要求嚴苛的高效能應用實現快速、可靠的數據傳輸。
靈活的電壓範圍：我們的元件工作電壓範圍為 0.9 V 至 18 V，可輕鬆與各種電源等級連接，非常適合從汽車到工業領域的應用。
系統整合：位準轉換器可在不同的電壓域之間提供快速、可靠的訊號轉換，有助於維持系統效率與效能。
標準邏輯
- 0.9 V 至 18 Vcc
- 單閘／多閘
電壓轉換器
- 雙向／單向
- 自動感應
- 1/2/4/8 通道
介面
- I2C I/O 擴充器
- I2C/I3C 轉換器
交換器
- 類比開關
- 高速匯流排開關
精選產品
NL5X4002DR2G
電壓位準轉換器 雙向 1 電路 2 通道 24 Mbps 8-SOIC
NL3X5004MU2TAG-Q
電壓位準轉換器 雙向 1 電路 4 通道 140 Mbps 12-UQFN (1.7x2)
NC7WZ14P6X
逆變器 IC 2 通道 史密特觸發器 SC-88 (SC-70-6)
EEPROM
資料保存與可靠性：高達 400 萬次寫入週期與 200 年資料保存期限，確保關鍵儲存應用的長期可靠性。
寬廣的溫度範圍：汽車級 (0°C–150°C) 與工業級 (-40°C–125°C) 額定值，非常適合嚴峻環境應用。
EEPROM 保證：可靠的長期資料保存至關重要，尤其是在最為重視準確度的極端環境下。
onsemi 標準產品：因其領導力、品質、高產能而備受肯定。
標準邏輯
- 12 VVO
- 無需轉換器
汽車
- 高溫 (150 ПC)
- AM weRe 週期
豐富的產品組合
- 2 kb - 1 mb
- SPI 與 I2C 介面
- 各種封裝
精選產品
LDO
效能：針對高要求應用打造的業界領先能力。
可靠耐用：專為工業與汽車應用的長期使用壽命而設計。
靈活的設計支援：透過方塊圖等資源，工程師可利用完整的 onsemi 解決方案進行創新系統設計。
多樣化配置：輸出電壓可調至 37 V，並提供多種封裝選項。
汽車級品質：符合 AEC-Q100 標準，並提供專門的應用支援。
高溫
- 更高的接面工作溫度，專為高溫運作環境而設計。
- 專為這些較高工作溫度而設計的電晶體
- 工作接面溫度 Tj = 150°C 在高功率耗散 (Pd) 條件下，Tj = Ta + 25°C Tj=Ta + Pd * Rɵja
低 VDO 與 IQ
- 提升效率
- 提供更低的壓降、更高的準確度
低 VDO 與 IQ
- 高溫 (150 ПC)
- AM weRe 週期
精選產品
放大器
感測放大器：電源解決方案 (SiC、IGBT、MOSFET) 的關鍵元件，提供從一般用途到高精度的多種選項，支援 1 V 至 80 V。
快速且準確：提供可靠的電源管理及故障保護效能。
訊號完整性：精密放大器可維持準確的輸出，確保訊號品質並將失真降至最低。
標準放大器
- 高增益與頻寬
- 軌對軌
精密度
- 低 Vos／漂移
- 微調與零漂移
- 低雜訊
電流感測
- 高電壓
- 零漂移
- 雙向／單向
低功耗與補償
- 低靜態
- 低輸入偏移
- 低偏移電壓
精選產品
隔離
功耗：每個通道在 1 Mbps 下僅消耗 165 mA，是節能型工業及汽車設計的理想選擇。
效能：高共模暫態耐受性 (CMT) 可確保在高雜訊環境下快速、可靠地切換。
光電電晶體
- 窄 CIR 分級
- TA=125°C 系列
電流感測
- 高電壓
- 無緩衝三端雙向可控矽開關元件驅動器
高速
- 低靜態
- 低輸入偏移
- 低偏移電壓
精選產品
電晶體
電晶體系列：BJT、BRT、JFET、達林頓電晶體涵蓋 ~10 V – 800 V 電壓範圍，並提供超過 10 A 的選項。具備低 VCE(sat)、高 hFE、強大 ESD 耐受性，可在汽車、工業、消費性系統中實現高效驅動與可靠切換。
智慧整合：偏壓電阻電晶體 (單顆／雙顆封裝提供 17 種電阻組合) 可減少物料清單並節省電路板空間。低米勒 JFET (~10 V – 40 V) 可穩定 RF 放大器，NPN/PNP 達林頓電晶體 (~30 V – 400 V、Ic ~0.3 A – 50 A，增益可達 ~30,000) 則簡化驅動，使 BJT 在適當工作點下成為 MOSFET 的高成本效益替代方案。
加速設計：Treo 平台可簡化選擇與設計流程。
BJT
- 10 V 至 800 V
- 封裝小至 1.0 x 06 mm2
- 音訊與電源元件可承受超過 10 A
- 提供低 VCE(sat) 元件
- 具成本效益的 MOSFET 替代方案
- RDSON Eq ef 30 mΩ
- 高 ESD 耐受性
BRTS
- 內建偏壓電阻的 BJT
- 節省成本與電路板空間
- 17 種不同的電阻組合
- 單顆、雙顆
- 超過 350 種選項
JFET
- 10 V 至 40 V
- 封裝小至 1.0 x 06 mm2
- 低米勒電容量
- 特定元件經過最佳化，適用於 RF 放大器
- 可選擇超過 50 款元件
精選產品
保護
保護：onsemi 保護元件可保護每個介面，提供低箝位 ESD 與突波防護 (~1 V – 70 V)，並提供單顆、雙顆、陣列封裝，適用於高速、電源、GPIO、電池線路。
訊號完整性與緊湊設計：部分零件提供最大插入損耗保證，以維持訊號品質，並採用超小型封裝 (~1.0 × 0.6 mm²)，非常適合高密度的汽車、工業、消費性電子配置。
整合 EMI 濾波：具有 ESD 保護的 EMI 濾波器可在關鍵頻段提供強大的衰減，並為單端線路提供共模與 LC/RC 選項。
電壓限制選項：互補型齊納二極體 (~1.8 V – 200 V、~0.2 W – 5 W) 提供可控箝位，並由 Treo 平台支援，加速系統層級設計。
ESD 與突波保護
- 業界最高功率密度
- 低箝位電壓
- 1 V 至 70 V
- 單顆、雙顆、陣列
- 針對每個介面最佳化響應：高速介面、電源線介面。GPIO，電池線
- 特定元件提供最大插入損耗保證
EMI 濾波器
- 內建 ESD 與突波保護的濾波器
- 差動與 LC 採用共模，單端線採用 RC
- 在目標頻段具有高衰減
- 優異的箝位電壓
- 單顆與陣列，提供超過 50 款元件
CCR
- 為 LED 提供固定電流的驅動器
- 與切換式穩壓器相比，成本效益更高
- 不會產生 EMI
- 45 V 至 120 V 工作電壓
- 雙端固定輸出、三端配置輸出
精選產品
二極體
二極體解決方案：onsemi 提供肖特基與標準整流器，針對 Vf/IF 效率、低恢復特性進行最佳化，並提供單顆、雙顆、橋式封裝選項。產品陣容包括業界首款 01005 封裝的小型高電流選項 (~500 mA / 30 V)。
精準電壓控制：互補型齊納二極體 (~1.8 V – 200 V、~0.2 W – 5 W) 可在多種封裝範圍內提供準確箝位與參考電壓，非常適合空間受限的設計。
加速開發：在 Treo 平台支援下，可簡化系統層級的設計流程。
齊納二極體
- 1.8 V - 200 V
- 2 W - 5 W
- 封裝種類繁多
- 元件小至 0.62 x 0.32 mm2
肖特基與 SS 二極體
- 最佳化的 V 與 IR 規格可提升能源效率，並縮小覆蓋區。
- 恢復時間短
- 提供單顆、雙顆、橋式封裝選項
- 多種封裝選擇
- 業界首款 01005 封裝、500 mA、30 V 的肖特基二極體
RF 離散元件
- 放大器電路用 RF BJT 與 JET
- 衰減器用 PIN 二極體
- 包絡偵測器用肖特基二極體
- 8.5 GHz SPDT 開關
- 天線用 ESD 保護
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