Name: SI2122DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2122DS-T1-BE3TR-ND
Price: 3.84417 TWD
Availability: OutOfStock

SI2122DS-T1-BE3
DigiKey 零件編號	742-SI2122DS-T1-BE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI2122DS-T1-BE3
說明	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 1.65A (Ta)、2.17A (Tc) 960mW (Ta)、1.6W (Tc) 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	1.65A (Ta)、2.17A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	7.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	160mOhm @ 2.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	210 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	960mW (Ta)、1.6W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	SOT-23-3 (TO-236)
封裝／外殼	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

SI2122DS-T1-BE3