Name: SI8824EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8824EDB-T2-E1TR-ND
Price: 20 TWD
Availability: OutOfStock

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SI8824EDB-T2-E1
DigiKey 零件編號	SI8824EDB-T2-E1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI8824EDB-T2-E1CT-ND - 切帶裝 (CT) SI8824EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI8824EDB-T2-E1
說明	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
製造商的標準前置時間	17 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 20 V 2.1 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 4-Microfoot
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SI8824EDB-T2-E1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 800mV @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
系列 TrenchFET®	Vgs (最大值) ±5V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 400 pF @ 10 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 500mW (Ta)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 20 V	供應商元件封裝 4-Microfoot
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.1 A (Ta)	封裝／外殼 4-XFBGA、CSPBGA
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.2V、4.5V	基礎產品編號 SI8824
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 75mOhm @ 1A、4.5V