Name: SIZF660LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 44.02217 TWD
Availability: OutOfStock

SIZF660LDT-T1-GE3
DigiKey 零件編號	742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIZF660LDT-T1-GE3
說明	SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 60V 28A (Ta)、110A (Tc) 4.2W (Ta)、62.5W (Tc) 表面黏著式 PowerPAIR® 6 x 5FS
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	28A (Ta)、110A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	2.6mOhm @ 10A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	85nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	4315pF @ 30V
功率 - 最大值	4.2W (Ta)、62.5W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-WDFN 裸焊盤
供應商元件封裝	PowerPAIR® 6 x 5FS

SIZF660LDT-T1-GE3