登入或
註冊
參考
設計
搜索/排序
- GeneSiC 是碳化矽技術的先鋒和全球領導廠商，同時也投入高功率矽晶技術領域。 全球工業與國防系統的領導製造商皆仰賴 GeneSiC 的技術提升產品效能與效率。
碳化矽肖特基二極體
碳化矽功率肖特基二極體具有優異的突波電流處理能力和 Vf 正溫度係數。
SiC Schottky Rectifier
GeneSiC is offering and continuously improving innovative Silicon Carbide power rectifiers for high voltage rating applications, with significant advantages.
碳化矽功率肖特基二極體
具有優異的突波電流處理能力、Vf 正溫度係數、優異的效能指數 Qc/If 等特點。
碳化矽電晶體
碳化矽電晶體的優勢包括低切換損耗、更高效率、耐高溫操作以及高短路耐受能力。
1N3214 Silicon Standard Recovery Diode
1N3214 features high surge capability and types up to 600 V VRRM.
MBR60040CT Silicon Power 600 A Schottky Diode
MBR60040CT, 600 A silicon power schottky diode features high surge capability and types up to 100 V VRRM.
Introducing GeneSiC Semiconductor
As the demand for power continues to rise, so do the challenges in converting electrical voltages and currents, to match the source with the demand.
發佈日期：2012-11-30
